单项选择题
在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）
A.薄膜制备B.光刻C.刻蚀D.金属化
单项选择题 化学气相沉积的基本步骤包括以下五步，其顺序正确的是（）① 反应物由主气流扩散到衬底表面② 参加反应的气体与混合物被运送到沉积区③ 反应物分子吸附在衬底表面上④ 反应副产物分子从衬底表面解吸，扩散到主气流中，排出沉积区⑤ 吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生反应，最终形成薄膜
单项选择题 APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD分别是（）的简称。
单项选择题 低压化学气相淀积的英文缩写是（）
